NTMS5P02R2G - MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
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Technische Daten für NTMS5P02R2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTMS5P02R2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.95A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 790mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOIC
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NTMS5P02R2G

Datenblätter : NTMS5P02R2G.pdf

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