ES2J M4G - DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für ES2J M4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ES2J M4G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AA, SMB
Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für ES2J M4G

Datenblätter : ES2J M4G.pdf

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