STB150N3LH6 - MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STB150N3LH6
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
22113 Pieces
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Technische Daten für STB150N3LH6
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STB150N3LH6
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (D²Pak)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STB150N3LH6
Datenblätter : STB150N3LH6.pdf
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