CSD18542KTTT - MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CSD18542KTTT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD18542KTTT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200A (Ta), 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5070pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DDPAK/TO-263-3
Paket / fall : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CSD18542KTTT

Datenblätter : CSD18542KTTT.pdf

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