IMBD4448-HE3-18 - DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IMBD4448-HE3-18
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IMBD4448-HE3-18
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 75V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2.5µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IMBD4448-HE3-18
Datenblätter : IMBD4448-HE3-18.pdf
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