AS4C4M32S-6BIN - IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für AS4C4M32S-6BIN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C4M32S-6BIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 2ns
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-TFBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C4M32S-6BIN
Datenblätter : AS4C4M32S-6BIN.pdf
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