TSM60NB190CM2 RNG - MOSFET N-CH 600V 18A TO263

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
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Technische Daten für TSM60NB190CM2 RNG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM60NB190CM2 RNG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1273pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (D²Pak)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : TSM60NB190CM2 RNG.pdf

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