PMPB215ENEA/FX - MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

Hersteller Teilenummer

PMPB215ENEA/FX

Interne Teilenummer

AX-PMPB215ENEA/FX

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für PMPB215ENEA/FX

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMPB215ENEA/FX

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 215pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-DFN2020MD (2x2)

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PMPB , PMPB215

Dokumente für PMPB215ENEA/FX

Datenblätter : PMPB215ENEA/FX.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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