RUM001L02T2CL - MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für RUM001L02T2CL
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RUM001L02T2CL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7.1pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VMT3
Paket / fall :
SOT-723
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RUM001L02T2CL
Datenblätter :
RUM001L02T2CL.pdf
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