STW11NB80 - MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

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MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
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Technische Daten für STW11NB80

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STW11NB80
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Serie : PowerMESH™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 190W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STW11NB80

Datenblätter : STW11NB80.pdf

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