SI8812DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
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MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
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Technische Daten für SI8812DB-T2-E1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI8812DB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 8V
Vgs (Max) : ±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-Microfoot
Paket / fall : 4-UFBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI8812DB-T2-E1
Datenblätter : SI8812DB-T2-E1.pdf
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