BUK9E6R1-100E,127 - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Hersteller Teilenummer

BUK9E6R1-100E,127

Interne Teilenummer

AX-BUK9E6R1-100E,127

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für BUK9E6R1-100E,127

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BUK9E6R1-100E,127

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 17460pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 349W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BUK9E , BUK9E6R1

Dokumente für BUK9E6R1-100E,127

Datenblätter : BUK9E6R1-100E,127.pdf

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