RF4E110BNTR - MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RF4E110BNTR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2147050 Pieces
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Technische Daten für RF4E110BNTR
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RF4E110BNTR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
HUML2020L8
Paket / fall :
8-PowerUDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RF4E110BNTR
Datenblätter :
RF4E110BNTR.pdf
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