FDFM2N111 - MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

Hersteller Teilenummer

FDFM2N111

Interne Teilenummer

AX-FDFM2N111

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

1169660 Pieces

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Technische Daten für FDFM2N111

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDFM2N111

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 273pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MicroFET 3x3mm

Paket / fall : 6-WDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDFM2N111

Datenblätter : FDFM2N111.pdf

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