1SS307E,L3F - DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-1SS307E,L3F
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
15639035 Pieces
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Technische Daten für 1SS307E,L3F
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1SS307E,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-79, SOD-523
Supplier Device Package : SC-79
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 1SS307E,L3F
Datenblätter : 1SS307E,L3F.pdf
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