RFD16N06LESM9A - MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
703885 Pieces
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Technische Daten für RFD16N06LESM9A
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RFD16N06LESM9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
47 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (Max) :
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
90W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252AA
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RFD16N06LESM9A
Datenblätter :
RFD16N06LESM9A.pdf
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