CSD13303W1015 - MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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Technische Daten für CSD13303W1015
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD13303W1015
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 31A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 715pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.65W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-DSBGA
Paket / fall : 6-UFBGA, DSBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CSD13303W1015
Datenblätter : CSD13303W1015.pdf
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