EPC2111ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2111ENGRT
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
303635 Pieces
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Technische Daten für EPC2111ENGRT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2111ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für EPC2111ENGRT
Datenblätter : EPC2111ENGRT.pdf
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