SSVMUN5312DW1T2G - TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
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Kurze Beschreibung
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SSVMUN5312DW1T2G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SSVMUN5312DW1T2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 187mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SSVMUN5312DW1T2G
Datenblätter : SSVMUN5312DW1T2G.pdf
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