SUD06N10-225L-GE3 - MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK

Hersteller Teilenummer

SUD06N10-225L-GE3

Interne Teilenummer

AX-SUD06N10-225L-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SUD06N10-225L-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUD06N10-225L-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 240pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta), 16.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SUD06N10-225L-GE3

Datenblätter : SUD06N10-225L-GE3.pdf

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