IRLD120 - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

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MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
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Technische Daten für IRLD120

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLD120
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : IRLD120.pdf

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