APTM100VDA35T3G - MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM100VDA35T3G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM100VDA35T3G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 25V
Leistung max : 390W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM100VDA35T3G
Datenblätter : APTM100VDA35T3G.pdf
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