IXFV12N80P - MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220

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MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
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Technische Daten für IXFV12N80P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFV12N80P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS220
Paket / fall : TO-220-3, Short Tab
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFV12N80P

Datenblätter : IXFV12N80P.pdf

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