HUFA76413DK8T - MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
RoHS-Status
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Technische Daten für HUFA76413DK8T
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HUFA76413DK8T
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Serie : UltraFET™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 25V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HUFA76413DK8T
Datenblätter : HUFA76413DK8T.pdf
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