RJK6015DPK-00#T0 - MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
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Technische Daten für RJK6015DPK-00#T0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RJK6015DPK-00#T0
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RJK6015DPK-00#T0

Datenblätter : RJK6015DPK-00#T0.pdf

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