DMN2011UFDF-7 - MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller Teilenummer

DMN2011UFDF-7

Interne Teilenummer

AX-DMN2011UFDF-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN2011UFDF-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN2011UFDF-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2248pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type F)

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN2 , DMN201

Dokumente für DMN2011UFDF-7

Datenblätter : DMN2011UFDF-7.pdf

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