BSS126H6327XTSA2 - MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSS126H6327XTSA2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSS126H6327XTSA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 8µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.1nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
28pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSS126H6327XTSA2
Datenblätter :
BSS126H6327XTSA2.pdf
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