IPB60R060C7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPB60R060C7ATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPB60R060C7ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Serie :
CoolMOS™ C7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 800µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2850pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
162W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Paket / fall :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPB60R060C7ATMA1
Datenblätter :
IPB60R060C7ATMA1.pdf
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