JANTXV2N6849 - MOSFET P-CH 100V 6.5A

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MOSFET P-CH 100V 6.5A
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Technische Daten für JANTXV2N6849

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTXV2N6849
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 6.5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/564
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 800mW (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-205AF (TO-39)
Paket / fall : TO-205AF Metal Can
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für JANTXV2N6849

Datenblätter : JANTXV2N6849.pdf

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