EGF1AHE3_A/I - DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EGF1AHE3_A/I
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2303480 Pieces
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Technische Daten für EGF1AHE3_A/I
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EGF1AHE3_A/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214BA
Supplier Device Package :
DO-214BA (GF1)
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EGF1AHE3_A/I
Datenblätter :
EGF1AHE3_A/I.pdf
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