DMN1019UVT-7 - MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Hersteller Teilenummer

DMN1019UVT-7

Interne Teilenummer

AX-DMN1019UVT-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN1019UVT-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN1019UVT-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50.4nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2588pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.73W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TSOT-26

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMN1019UVT-7

Datenblätter : DMN1019UVT-7.pdf

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