RN2712JE(TE85L,F) - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für RN2712JE(TE85L,F)
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RN2712JE(TE85L,F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 200MHz
Leistung max : 100mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-553
Supplier Device Package : ESV
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RN2712JE(TE85L,F)
Datenblätter : RN2712JE(TE85L,F).pdf
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