TH58BYG3S0HBAI6 - 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
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Hersteller
Kurze Beschreibung
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
52506 Pieces
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Technische Daten für TH58BYG3S0HBAI6
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TH58BYG3S0HBAI6
Hersteller :
Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung :
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Serie :
Benand™
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Non-Volatile
Speicherformat :
FLASH
Technologie :
FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße :
8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz :
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
25ns
Zugriffszeit :
-
Speicherschnittstelle :
-
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
-
Supplier Device Package :
67-VFBGA (6.5x8)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TH58BYG3S0HBAI6
Datenblätter :
TH58BYG3S0HBAI6.pdf
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