TH58BYG3S0HBAI6 - 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
RoHS-Status
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Technische Daten für TH58BYG3S0HBAI6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TH58BYG3S0HBAI6
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : -
Supplier Device Package : 67-VFBGA (6.5x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : TH58B , TH58BYG

Dokumente für TH58BYG3S0HBAI6

Datenblätter : TH58BYG3S0HBAI6.pdf

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