IPT012N08N5ATMA1 - MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
119680 Pieces
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Technische Daten für IPT012N08N5ATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPT012N08N5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
223nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
17000pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-1
Paket / fall :
8-PowerSFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPT012N08N5ATMA1
Datenblätter :
IPT012N08N5ATMA1.pdf
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