IPT012N08N5ATMA1 - MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPT012N08N5ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPT012N08N5ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 223nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 17000pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-HSOF-8-1
Paket / fall : 8-PowerSFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPT012N08N5ATMA1
Datenblätter : IPT012N08N5ATMA1.pdf
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