VS-10ETF10STRR-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für VS-10ETF10STRR-M3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-10ETF10STRR-M3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 310ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D2PAK
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für VS-10ETF10STRR-M3
Datenblätter : VS-10ETF10STRR-M3.pdf
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