EPC2101ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller Teilenummer

EPC2101ENGRT

Interne Teilenummer

AX-EPC2101ENGRT

Hersteller

EPC

Kurze Beschreibung

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

97940 Pieces

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Technische Daten für EPC2101ENGRT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EPC2101ENGRT

Hersteller : EPC

Beschreibung : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Serie : eGaN®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : Die

Supplier Device Package : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für EPC2101ENGRT

Datenblätter : EPC2101ENGRT.pdf

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