IRF200P222 - MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

Hersteller Teilenummer

IRF200P222

Interne Teilenummer

AX-IRF200P222

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

37751 Pieces

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Technische Daten für IRF200P222

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF200P222

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

Serie : StrongIRFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 182A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 82A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 203nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9820pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 556W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247AC

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRF20

Dokumente für IRF200P222

Datenblätter : IRF200P222.pdf

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