IRFD224 - MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRFD224
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
451500 Pieces
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Technische Daten für IRFD224
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRFD224
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
630mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 380mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
260pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRFD224
Datenblätter :
IRFD224.pdf
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