FCP11N60N-F102 - MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Hersteller Teilenummer

FCP11N60N-F102

Interne Teilenummer

AX-FCP11N60N-F102

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

274505 Pieces

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Technische Daten für FCP11N60N-F102

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCP11N60N-F102

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1505pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 94W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220F

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FCP11N60N-F102.pdf

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