FCP11N60N-F102 - MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
274505 Pieces
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Technische Daten für FCP11N60N-F102
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FCP11N60N-F102
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1505pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220F
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FCP11N60N-F102
Datenblätter :
FCP11N60N-F102.pdf
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