STB12NM60N-1 - MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STB12NM60N-1
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für STB12NM60N-1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STB12NM60N-1
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Serie : MDmesh™ II
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 960pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STB12NM60N-1
Datenblätter : STB12NM60N-1.pdf
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