STF9NM60N - MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP

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MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
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Technische Daten für STF9NM60N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STF9NM60N
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
Serie : MDmesh™ II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 745 mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 452pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220FP
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STF9NM60N

Datenblätter : STF9NM60N.pdf

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