NTD2955-1G - MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NTD2955-1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTD2955-1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 55W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NTD2955-1G

Datenblätter : NTD2955-1G.pdf

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