DMG3415UFY4Q-7 - MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

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MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
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Technische Daten für DMG3415UFY4Q-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMG3415UFY4Q-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 16V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 282pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 650mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN2015-3
Paket / fall : 3-XDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMG3 , DMG3415

Dokumente für DMG3415UFY4Q-7

Datenblätter : DMG3415UFY4Q-7.pdf

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