DMG3415UFY4Q-7 - MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Hersteller Teilenummer

DMG3415UFY4Q-7

Interne Teilenummer

AX-DMG3415UFY4Q-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMG3415UFY4Q-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG3415UFY4Q-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 16V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 282pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 650mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : X2-DFN2015-3

Paket / fall : 3-XDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMG3 , DMG3415

Dokumente für DMG3415UFY4Q-7

Datenblätter : DMG3415UFY4Q-7.pdf

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