IPD050N10N5ATMA1 - MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPD050N10N5ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD050N10N5ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 84µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD050N10N5ATMA1
Datenblätter : IPD050N10N5ATMA1.pdf
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