TPH2R306NH,L1Q - MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Hersteller Teilenummer

TPH2R306NH,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPH2R306NH,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

367030 Pieces

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Technische Daten für TPH2R306NH,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPH2R306NH,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPH2R306NH,L1Q

Datenblätter : TPH2R306NH,L1Q.pdf

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