IPD60N10S4L12ATMA1 - MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD60N10S4L12ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD60N10S4L12ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

868780 Pieces

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Technische Daten für IPD60N10S4L12ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD60N10S4L12ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH TO252-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 46µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3170pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 94W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3-313

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD60N , IPD60N10S

Dokumente für IPD60N10S4L12ATMA1

Datenblätter : IPD60N10S4L12ATMA1.pdf

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