1N5622C.TR - DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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USD 1.992
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Technische Daten für 1N5622C.TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N5622C.TR
Hersteller : Semtech Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F : 23pF @ 5V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : Axial
Supplier Device Package : Axial
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 1N5 , 1N562

Dokumente für 1N5622C.TR

Datenblätter : 1N5622C.TR.pdf

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