70T3519S200BC8 - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 70T3519S200BC8
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 70T3519S200BC8
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße : 9Mb (256K x 36)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 3.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 256-LBGA
Supplier Device Package : 256-CABGA (17x17)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für 70T3519S200BC8
Datenblätter : 70T3519S200BC8.pdf
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