IRFIBF30G - MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

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MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
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Technische Daten für IRFIBF30G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFIBF30G
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRFIBF30G

Datenblätter : IRFIBF30G.pdf

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