IRFIBF30G - MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

Hersteller Teilenummer

IRFIBF30G

Interne Teilenummer

AX-IRFIBF30G

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRFIBF30G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFIBF30G

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRFI

Dokumente für IRFIBF30G

Datenblätter : IRFIBF30G.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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