SPP08P06PHXKSA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
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MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
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Technische Daten für SPP08P06PHXKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SPP08P06PHXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 42W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SPP08P06PHXKSA1
Datenblätter : SPP08P06PHXKSA1.pdf
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